Número do Produto do Fabricante:
TSM4N90CZ C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM4N90CZ C0G-DG
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 900V 4A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 900 V 4A (Tc) 38.7W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
958 Pcs Novo Original Em Estoque
12898242
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TSM4N90CZ C0G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
955 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
38.7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
TSM4N90
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
1801-TSM4N90CZC0G
TSM4N90CZC0G-DG
-2068-TSM4N90CZC0GDKRINACTIVE
-2068-TSM4N90CZC0GDKR
-2068-TSM4N90CZC0G
TSM4N90CZ C0G-DG
TSM4N90CZC0G
-2068-TSM4N90CZC0GDKR-DG
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STP2N95K5
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1000
NÚMERO DA PEÇA
STP2N95K5-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.56
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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